1.这个问题应该是二极管串联在电路中起到反接保护作用。
防反接保护电路，可以防止电源反接，因为二极管具有单向导电特性，只有电源正极接到二极管的正极，电路才可以导通有电，如果反接则二极管截止，电路不导通，起到防反接保护作用。
通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护。这种接法简略可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达3A,二极管额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd＝3A×0.7V＝2.1W，这样功率低，发热量大，要加散热器，不适合大电流供电电路、电池供电电路和低功耗电路。
2.第一种大电流不适合，功耗大，可以用下面的电路
利用自恢复保险和二极管防反接保护，当电源接反造成短路，自恢复保险达到跳闸电流而断开，也可以保护后级电路短路保护，此电路也会有损耗在自恢复保险上，在设计时要根据电压电流大小选择自恢复保险。
3.如果电流特别大可以用mos管来做防反接电路
运用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来规划防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在 MOSFET Rds现已可以做到毫欧级，对比现有选用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
N沟道MOS管经过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管供应电压偏置，运用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，然后防止电源反接给负载带来损坏。正接时，R1供应VGS电压，MOS导通。反接的时MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds根据不同管子，实践损耗很小，以20毫欧计算，3A的电流，功耗为（3×3)×0.02=0.18W根柢不必外加散热片。对比现有选用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。