今天小编要和大家分享的是注入式激光器简介 注入式激光器结构及原理，接下来我将从简介，结构及原理，改进，用途，这几个方面来介绍。
注入式激光器激光器 的供应商又称p-n junction laser，是一款发明于1962年的半导体半导体 的供应商结型二极管二极管 的供应商激光器。
简介
又称p-njunctionlaser，半导体结型二极管激光器。是较成熟、较常用的一类半导体激光器，于1962年首次研制成功。
结构及原理
它的主体是一个正向偏置的p-n结，当电流密度超过阈值时，注入载流子(电子和空穴)在p-n结结区通过受激辐射复合，产生激光。其工作特性和输出特性受温度影响极大，故备有冷却系统。最早的同质结型砷化镓(GaAs)半导体激光器，在一块经过加工的砷化镓单晶体的上、下两面上(p型与n型砷化镓)分别焊上电极，组成谐振腔的两端面要平行，并经过研磨抛光，甚至涂膜，以增加反射，也可以直接利用平行的平坦晶面(自然解理面)组成谐振腔。砷化镓的折射率约为3.6，在半导体与空气的分界面上反射率高于30%，因此，它可提供光反馈作用，使激光振荡能够产生，激光波长约为9040。
改进
1969年以后研制成功的砷化镓单异质结和双异质结型激光器，使阈值电流密度(一般约为10^4A/cm^2)降低到每平方厘米数百安培，并实现了在室温下激光器的连续运转。
用途
半导体激光器件可用在雷达、计算机及通信系统中，或用作视频唱片和声频唱片的光源，它在超高分辨率光谱学、集成光学以及军事等方面有着广泛的应用。
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