今天小编要和大家分享的是FET原理简述 FET结构,接下来我将从FET的原理简述,FET的结构,FET的分类,FET的极性判断,这几个方面来介绍。

FET原理简述 FET结构

FET即Field Effect Transistor,译为场效应晶体管,也叫场效应管,是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)。有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极。

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FET的原理简述

现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图C-a.

场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个p-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下p-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的绝对值.

FET的结构

下图是FET简单的的结构示意图(P沟FET是P型半导体部分与N型半导体部分互换)。

双极晶体管的基极发射极间以及基极集电极间分别是两个PN结,就是说存在着二极管。JFET的栅极与沟道(把输出电路流过漏极源极间的部分称为沟道)间有PN结,所以认为存在着二极管(由于有PN结,所以称为结型FET)。

FET的分类

如图所示,FET按照结构可以分为结型FET(JFET:JunctionFET)和绝缘栅FET(MOSFET:MetalOxideSemiconductorFET)。

按照电学特性,MOSFET又可以分为耗尽型(deletion)与增强型(enhancement)两类。它们又可以进一步分为N沟型(与双极晶体管的NPN型相当)和P沟型(与双极晶体管的PNP型相当)。

从实际FET的型号中完全看不出JFET与MOSFET、耗尽型与增强型的区别。仅仅是N沟器件为2SK×××(也有双栅的3SK×××),P沟器件为2SJ×××,以区别N沟和P沟器件。

FET的极性判断

将万用表置于R1K挡,用黑表笔接触假定为的栅极G管脚,然后用红表笔分别接触另外两个管脚,若阻值均比较Jj、(约5\10Q),再将红黑表笔交挟测量一次.如阻值大(O),说明都是反向电阻(pN结反向),属N沟道管,且黑表笔接触的管为栅极C,并说明原先假定是正确的。再次测量的阻值均很小,说明是正向电阻,属于p沟道场效应管,黑表笔所接触的也是栅极C.若不出现上述情况,可以调换红黑表笔,按上述方法进测试,直至判断栅极为止.一般结型效应管的源极与漏极在制造时是对称的,所以,当栅极G确定以后,对于源极S漏极D不一定要判断,因为这两个极可以互换使用,因此没有必要去判别.源极与漏极之间的电阻约为几千欧。

关于FET,电子元器件资料就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。

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