图4：CoolMOS P7与CoolMOS PFD7之间的效率差别。
现在从壳温的角度考虑最关键的工作点，如前所述，即满载、低输入电压（90Vac）的情况，CoolMOS PFD7在该工作点下的效率可以提升0.34%，这可使MOSFET壳温降低5℃，从而降低适配器外壳过热的风险。效率提高带来的另一个结果如图5所示。图中绘出了假设适配器外壳最高温度为70℃时，CoolMOS PFD7和P7所能达到的功率密度极限。由于效率提高，PFD7可将最高功率密度极限提高到20W/in3以上，比P7提高1.8W/in3。
