类似于板级电路设计的基准电源，芯片内部基准电压为芯片其他电路提供稳定的参考电压。这个基准电压要求高精度、稳定性好、温漂小。芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压，因为这个电压值和硅的带隙电压相近，因此被称为带隙基准。这个值为1.2V左右，如下图的一种结构：
这里要回到课本讲公式，PN结的电流和电压公式：
可以看出是指数关系，Is是反向饱和漏电流（即PN结因为少子漂移造成的漏电流）。这个电流和PN结的面积成正比！即Is-》S。
如此就可以推导出Vbe=VT*ln（Ic/Is） ！
回到上图，由运放分析VX=VY，那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2，这样可得：I1=△Vbe/R1，而且因为M3和M4的栅极电压相同，因此电流I1=I2，所以推导出公式：I1=I2=VT*ln（N/R1） N是Q1 Q2的PN结面积之比！