从MOSFET 的小信号等效电路可以看出，栅源电压对于漏源电流的控制起主导作用，也就是说漏源电压和衬底效应对器件工作状态的影响可以忽略，因此可以看出，MOS管的漏源电流受三方面的影响，从栅端口看，栅压对电流的影响gm*vgs，漏源电压对电流的影响gd*vds，衬底的影响gmb*vbs。那么从电流的角度来讲，二级效应表现为gm*vgs、gd*vds和gd*vds电流的总和。一般条件下，在电路的初始分析过程中忽略沟道长度调制和体效应的 影响，这样简化的MOS模型仅受栅压的影响，因此从源到栅的等效阻抗约为1/gm。简化的电路分析往往因为忽略的次级效应而产生误差，但是对于电路的直观理解是很重要的。
6、SPICE模型
晶体管级的连接决定了电路的结构，但是电路的性能却取决于具体的参数设置。SPICE模型提供了器件的具体参数化过程，即对电路的仿真分析需要进行参数的设置，即在工艺过程中的所约束的各种参数提供了一个较为完整的器件级的参数模型，例如沟道长度调制系数、寄生的电容、栅氧层的厚度等等，这些都是为了将晶体管的参数进行量化，即在器件层次的某些参数也是可以计算出来的！