3. 米勒区结束，驱动同时对Cgc和Cge充电，Vce进一步减小进入饱和区
图1：典型的电压型驱动开通过程
在第二阶段，门极的米勒平台电压大小和负载电流是相关的，这是由器件的转移特性决定的。电流越大米勒电压也高，充电电流就小，dVce/dt自然慢了，和大电流本身一起导致了开通损耗增加。反过来，小电流时米勒电压低，充电电流大，dVce/dt快，容易产生EMI问题。从电机驱动系统的角度来看，选择合适的电阻来限制过快的dv/dt是最简单有效的方法，即使会增加重载时的损耗。
而电流源型驱动能做的正是在第二阶段，基于门极电流恒流不受负载电流控制，来实现相对稳定的dVce/dt。而且因为此恒流值可在开关中调整，这让进一步优化开通损耗成为可能。电流源型驱动芯片的驱动门极电压电流如图2所示，绿色是门极电压，蓝色是门极电流。135ns是固定的预充电阶段，充值电流要根据后级不同的功率器件进行计算设置，准则是尽可能减小开通延时，但此阶段IGBT不能开始开通。在不到25ns的系统延时后，门极进入恒流输出模式，直到完成米勒阶段，恒流的大小一般根据需要的dv/dt进行设置，有11个百分比档位选择。如图3和表1所示。