无肖特基箝位
电容加速
从上面的讨论可否得这样的结论：
要提高输出脉冲的前后沿速度，就要加大激励信号，又要避免晶体管深饱和造成存储延迟，于是：
1.用电容加速，只在前后沿大激励，即提高了沿的速度，又不至深饱和
2.整个脉冲大激励，提高沿的速度，用肖特基箝位来避免深饱和。
就上面的电路参数仿真看，电容对沿的加速作用似乎更明显。
1、加速电容构成微分电路，利用电容两端电压不能突变的特性让输入瞬间的变化量直接引入到三极管基极，
无肖特基箝位
电容加速
从上面的讨论可否得这样的结论：
要提高输出脉冲的前后沿速度，就要加大激励信号，又要避免晶体管深饱和造成存储延迟，于是：
1.用电容加速，只在前后沿大激励，即提高了沿的速度，又不至深饱和
2.整个脉冲大激励，提高沿的速度，用肖特基箝位来避免深饱和。
就上面的电路参数仿真看，电容对沿的加速作用似乎更明显。
1、加速电容构成微分电路，利用电容两端电压不能突变的特性让输入瞬间的变化量直接引入到三极管基极，