3、在空间中存在很多的电磁波,往往会干扰到芯片工作的稳定性,芯片周围的去耦电容能够很好的滤除这些干扰,从另一方面说,高频电路中,导线产生的电感效应对电流的阻碍作用是很大的,会导致电流不足,如果器件在这时候刚好就需要足够的电流驱动,就不能及时供给,这时,去耦电容中储存的能量就能及时的补充这些不足,保证器件正常的工作。

注:在电路电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,就是称呼的不一样,旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源,这是他们的本质区别。

④ 储能 

储能型电容器通过整流器收集电荷,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40~450VDC、电容值在220~150 000uF之间的铝电解电容器(如EPCOS公司的 B43504或B43505)是较为常用的。根据不同的电源要求,器件有时会采用串联、并联或其组合的形式, 对于功率级超过10KW的电源,通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。 

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