肖特基二极管（也称肖特基势垒二极管，SchottkyBarrier Diode，SBD）与普通的二极管稍为有所不同，它的单向导通特性不是由P型半导体与N型半导体接触形成的PN结决定的，而是金属与半导体接触形成的，它的特点是开关速度快、正向压降比普通二极管要低（0.3～0.4V），也就是比三极管的发射结电压要低一些。
当输入信号为高电平“H”时，大部分原本应该全部流入基极的电流通过肖特基二极管D1直接到地了，因此，相对没有添加D1时的电流非常小，换句话说，尽管晶体管现在处于饱和导通状态，但并没有进入深度饱和，因此要退出饱和状态也更加容易（速度更快）,如下图所示：