当输入电压极性正确时，NMOS的寄生二极管将先一步导通，这样NMOS管的栅-源电压VGS约为输入电压（小一个二极管压降），如下图所示：
此时二极管是有一定压降的（有损耗），但VGS使NMOS管导通后将寄生二极管短路，此时电流将从NMOS管沟道流过，如下图所示：
现在的NMOS管导通电阻可以做到毫欧姆级别，因此损耗将非常低，
而当电源极性反接时，寄生二极管因反向偏置而截止，由于栅-源电压VGS不满足条件，NMOS管也是截止的，电路系统将不予工作，如下图所示：
当输入电压极性正确时，NMOS的寄生二极管将先一步导通，这样NMOS管的栅-源电压VGS约为输入电压（小一个二极管压降），如下图所示：
此时二极管是有一定压降的（有损耗），但VGS使NMOS管导通后将寄生二极管短路，此时电流将从NMOS管沟道流过，如下图所示：
现在的NMOS管导通电阻可以做到毫欧姆级别，因此损耗将非常低，
而当电源极性反接时，寄生二极管因反向偏置而截止，由于栅-源电压VGS不满足条件，NMOS管也是截止的，电路系统将不予工作，如下图所示：