去掉次级侧导热垫，PCB板背面一览。
英诺赛科 INN650D02 “InnoGaN”开关管，耐压650V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求。INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，应用端不需要辅助散热措施，适合高功率密度的开关电源应用。
英诺赛科向充电头网透露，INN650D02 “InnoGaN”开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，也是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，标志着这项技术在快充领域的大规模商用。
