本文介绍了一种用于电动汽车电机驱动、或电力逆变器的新型 三 相 1200V SiC MOSFET 智 能 功 率 模 块（IPM）。 该 IPM提供了一种多合一的解决方案，含有栅极驱动器和三相全桥 SiCMOSFET 功率电路，可用于水冷功率系统。本文简要介绍了该功率模块的关键电气和热特性，讨论了其安全操作区域；最后，说明了栅极驱动器的关键特性 ， 及其安全可靠的驱动 SiC MOSFET 的综合能力。
图 1：CXT-PLA3SA12450AA 三相全桥 1200V/450A SiC
MOSFET 智能功率模块
三相全桥水冷 SiC MOSFET 智能功率模块CXT-PLA3SA12450AA是一个可扩展平台系列的首个产品，该三相 1200V/450A SiC MOSFET IPM 具有导通损耗低（Ron为 3.25mΩ）、开关损耗低（7.8mJ 开启和 8mJ 关断）等特点（在600V/300A 时，参见表 1）。相对于最新的 IGBT 电源模块，其损耗至少降低了三分之二。新模块通过轻巧的 AlSiC 针翅底板进行 水冷，结至流体的热阻为 0.15℃ /W。该智能功率模块的额定结温 高达 175℃，可以承受高达 3600V（50Hz，1min）的隔离电压。