√ ， 去饱和检测：在打开时，在消隐时间之后检查功率 MOSFET 漏源电压是否低于阈值。
√ ， 软关断：在出现故障的情况下，将缓慢关闭功率晶体管，以最 大程度地降低由于高 di/dt 而引起的过冲。
结论
本文提出了一种新型的三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能 功率模块。这个新的、可扩展的平台系列，优化了功率模块的电气、 机械和散热设计及其控制驱动，将有助于所有希望采用 SiC 功率器 件以提高驱动效率、减低电机驱动尺寸和重量的电动汽车 OEM 和 电机制造商，极大地帮助其缩短产品的上市时间。
参考文献
［1］ CMT-TIT8243： 1200V High Temperature （125 ℃ ） HalfBridge SiC MOSFET Gate Driver Datasheet ： http://www. cissoid.com/files/files/products/titan/CMT-TIT8243.pdf
［2］ P. Delatte “A High Temperature Gate Driver for Half Bridge SiC MOSFET 62mm Power Modules”， Bodo’s Power Systems， p54， September 2019