将场效应晶体管放在低侧意味着它可以直接从反激控制器驱动。图3显示了一个使用UCC28910反激开关的倒置降压。一对一耦合电感器作为磁开关元件。一次绕组作为功率级电感器。二次绕组向控制器提供定时和输出电压调节信息，并为控制器的局部偏置电源（VDD）电容器充电。
图3 一个使用UCC28910反激开关的倒置降压设计示例。
反激拓扑的一个缺点是能量通过变压器传递的方式。这种拓扑在场效应管的接通时间内将能量存储在气隙中，并在场效应管的断开时间内将其传输到次级。实际的变压器在初级侧会有一些漏感。当能量转移到次级侧时，剩余的能量储存在漏感中。这种能量是不可用的，且需要使用齐纳二极管或电阻电容网络进行耗散。