半导体技术的进步让功率MOSFET器件开关频率得到快速有效提升，IGBT从过去的20k左右提升到现在40k到50k，而氮化镓（GaN）和碳化硅（SIC）MOSFET器件可以达到更高的开关频率。“驱动方式是达到这些开关器件所能支持的开关频率的关键，而开关频率决定着系统设计成本、尺寸与效率之间的最佳平衡。更高开关频率对栅极驱动器的要求越来越高，采用的栅极驱动器的传输延迟、死区时间、共模瞬变抗扰度（CMTI）等指标对提升充电桩功率和效率发挥着关键的影响。” 张松刚表示。
解锁大功率直流充电，隔离式栅极驱动器是关键
为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极，使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。张松刚指出：“隔离式栅极驱动器的隔离性能、共模瞬变抗扰度、总传播传输延迟等指标将决定直流模块的整体功率、效率和系统尺寸，正确选择这类解决方案非常关键。”与传统的基于光学隔离式栅极驱动器相比，ADI提供的iCoupler隔离式栅极驱动器提供了良好的栅极驱动特性和隔离性能。