图3：关闭状态的硅基MOSFET
图4：关闭状态的硅基IGBT
3. 静态与动态效能
以下将比较两种技术的静态和动态特质，设定条件为一般运作，接面温度TJ = 110 °C。
图5为两种元件的输出静态电流电压特性曲线（V-I curves）。两相比较可看出无论何种状况下碳化硅MOSFET的优势都大幅领先，因为它的电压呈现线性向前下降。
即使碳化硅MOSFET必须要有VGS = 18 V才能达到很高的RDS（ON），但可保证静态效能远优于硅基IGBT，能大幅减少导电耗损。
图3：关闭状态的硅基MOSFET
图4：关闭状态的硅基IGBT
以下将比较两种技术的静态和动态特质，设定条件为一般运作，接面温度TJ = 110 °C。
图5为两种元件的输出静态电流电压特性曲线（V-I curves）。两相比较可看出无论何种状况下碳化硅MOSFET的优势都大幅领先，因为它的电压呈现线性向前下降。
即使碳化硅MOSFET必须要有VGS = 18 V才能达到很高的RDS（ON），但可保证静态效能远优于硅基IGBT，能大幅减少导电耗损。