若以最大负载点而论（100%扭力电流），两种元件的散热片热电阻都选择维持大约110 °C的接面温度。
图7在50%扭力电流和切换频率4-8 kHz的状况下，比较了碳化硅MOSFET和硅基IGBT解决方案的功率耗损。
图7：50%扭力电流下每个开关的功率耗损
图8：100%扭力电流下每个开关的功率耗损
图8则是在100%扭力电流下以同样方式进行比较。
功率耗损分为开关（传导和切换）和反平行二极体，以找出主要差别。和硅基IGBT相比，碳化硅MOSFET解决方案很明显可大幅降低整体功率损耗。有这样的结果是因为无论静态和动态状况下，不分开关或二极体，功率耗损都会减少。