图 1. DrMOS （= 驱动+上桥与下桥 MOSFET） 的功率级
这一“集成”带来的效果是显著的，DrMOS 功率级的最新封装尺寸可以小至 4.5mm x 3.5mm，其他封装规格（5mm x 5mm / 5mm x 6mm / 6mm x 6mm）的身材也很纤小以应不同应用的需求，与传统分立元器件方案相比，高下立现。
在 Vishay 先进的栅极驱动、封装和 MOSFET 技术的加持下，DrMOS 功率级的性能表现并没有因为高集成度而打折扣。以 5mm x 5mm 封装的 SiC620R 为例，在一个典型的多相降压转化应用中效率可以达到 95% 以上，每相输出电流可达 60A，而在 5mm x 6mm 封装的 SiC820/830 中，每相输出电流更是可以达到 80A。DrMOS 功率级的开关频率也可高达 1.5MHz。另外 Vishay 最新的 DrMOS 还集成了过电流保护/过温度保护/上桥 MOSFET 短路侦测以及温度和电流报告（IMON & TMON）等功能，让器件的可靠性进一步提升。
Vishay 的 DrMOS 采用了第 4 代/第 4.5 代的 MOSFET 工艺，与上一代的 DrMOS 器件相比，DrMOS 效率提升了 3%，工作温度减低超过 50℃，而占板面积却压缩了 33%，提升了整体的功率密度效益。Vishay 在 Power IC 方面的“集成”功力由此可见一斑。