展望未来，Cavendish希望在更大的RF开关领域采用RF SOI器件。“如果最终有一种工艺能够取代RF SOI，那必然就是MEMS，收发链路上的插损都会显著降低。”。
但是RF MEMS最终是否会取代RF SOI？关于这个问题，TowerJazz可以提供一些见解。Tower Jazz能够传统的RF SOI工艺，同时也是Cavendish的RF MEMS器件的代工厂商。
“RF MEMS和RF SOI可能在竞争相同的应用。一般来说，它们是相互补充关系，RF MEMS用于最苛刻的应用，而RF SOI用于其余的应用，“Tower Jazz RF /高性能模拟业务部门高级副总裁兼总经理MarcoRacanelli说。
“RF SOI技术将继续发展，它对于RF开关应用和部分低噪声放大器市场仍然是可用的，”Racanelli说。“然而，在一些特殊的应用中，用于低噪声放大器的SiGe和用于开关的MEMS等替代技术可以提供更佳的线性度或更低的损耗。总之，RF SOI将继续一枝独秀，而其他技术也将有所发展。”
RF MEMS已经在天线调谐器市场上占有了一席之地，它能否把触角延伸到射频开关业务上还有待时间验证。“未来，相对于内置RF SOI，RF MEMS可以通过提供更线性和更低损耗的开关来帮助提高手机的数据率。”他说。“在RF MEMS中，金属板可以在“导通”状态下直接接触，形成金属、低损耗、线性的连接。更高的线性度允许更多的频带和更复杂的调制方案，从而增加手机的数据率。