先不说不同的器件和工艺类型，当今RF市场的挑战也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司总裁兼首席执行官Paul DalSanto表示：“几年前，RF还是一项相当简单的设计，然而今时不同往日。首先，射频前端必须覆盖非常宽的频带，从600MHz一直延伸到3GHz。随着更加先进的5G技术的到来，频段将进一步上延，甚至达到5GHz至60GHz。这给前端RF设计师带来了巨大的挑战。”
面对这些挑战，手机OEM厂商必须在选择器件工艺时做出新的考量。具体到RF开关和天线调谐器而言，业界的主流归结为两种技术 - 基于RF SOI工艺和RF MEMS工艺的器件。
RF SOI是目前市场上射频开关的主流工艺，RF SOI工艺可以满足当下的频段及性能要求，但也开始遇到一些新的技术挑战。除此之外，市场还存在价格压力，随着器件从200mm迁移到300mm晶圆，也会引发一些问题。
相比之下，RF MEMS具有一些颇具吸引力的特性，并已经在一些领域取得了进展。事实上，Cavendish Kinetics公司表示，该公司其基于RF MEMS工艺的MEMS天线调谐器已经被三星和其他OEM使用。
Strategy AnalyTIcs的分析师ChrisTaylor表示：“RF MEMS能够提供非常低的Ron（导通电阻），这也意味着更低的insertion loss（插入损耗）。但RF MEMS目前并没有大规模的实现量产，主流OEM厂商很难盲目地选择新技术和小供应商。当然，相较于RF SOI器件，RF MEMS开关必须要有足够好的价格，除此之外，主流OEM厂商也会对产品可靠性和供货提出很高的要求。”