晶体管作为射频放大器的核心器件，它通过用小信号来控制直流电源，产生随之变化的高功率信号，从而实现将电源的直流功率转换成为满足辐射要求的功率信号。
工程应用方面，提升 PA 性能的方法大多依赖工艺，以手机射频 PA 为例，目前主流工艺是采用第二代半导体材料砷化镓，由第一代半导体材料发展出的工艺技术（如 CMOS、SOI 和 SiGe 工艺）在无线通信技术发展过程中遇到瓶颈，通过设计来弥补工艺的不足难度很大，因此在整体的射频 PA 器件设计生产过程中工艺是基础。
图：射频功率放大器工作原理
射频晶体管发展出多种材料工艺
射频半导体主要经历了由第一代半导体到第三代半导体的三个阶段的发展，其制造工艺结构也经历了由基础的 BJT、FET 向更复杂的 HBT、LDMOS 和 HEMT 等的发展。
图：射频晶体管制造工艺
不同材料的性能及成本差别较大
不同工艺结构图
BJT 用电流控制，FET 属于电压控制。HBT 具有功率密度高、相位噪声低、线性度好等特点，GaAs HBT 是目前手机射频 PA 主流工艺。硅基 LDMOS 器件被广泛用于基站的射频 PA 中。HEMT 是 FET 的一种，近几年 GaN HEMT 凭借其良好的高频特性吸引了大量关注。