不同材料的性能及成本差别较大
BJT 用电流控制，FET 属于电压控制。HBT 具有功率密度高、相位噪声低、线性度好等特点，GaAs HBT 是目前手机射频 PA 主流工艺。硅基 LDMOS 器件被广泛用于基站的射频 PA 中。HEMT 是 FET 的一种，近几年 GaN HEMT 凭借其良好的高频特性吸引了大量关注。
不同应用场景所需 PA 的性能指标不同
按照应用场景分为大功率（基站等）和小功率（手机等）。基站 PA 的应用指标在于其高功率和高效率，而手机 PA 的应用指标则在于高线性度、低功耗和高效率。
不同应用场景下射频 PA 的竞争格局