Qorvo 认为，Micro Shield 自屏蔽技术将在 5G 时代发挥更大的作用。结合 5G 时代的集成化趋势来看，Micro Shield 自屏蔽技术将有助于 L-PAMiD 的进一步发展。Qorvo 指出，因为外部 LNA 通常在物理上不靠近功放，因此，PAMiD 对 RF 自屏蔽的需求并不高（PAMiD 往往会采用外置机械屏蔽罩的方式）。但伴随着 5G 时代对 L-PAMiD 需求的增加，如果外置机械屏蔽罩设计不正确，L-PAMiD 的灵敏度将会受到严重的影响。因此，受惠于 5G 时代的来临，Micro Shield 自屏蔽技术的价值将得以放大。下图显示：经过优良设计的自屏蔽模组，能够 100 倍地减少 LNA 区域的表面电流。
射频前端模块未来发展方向
从 Qorvo 在射频前端的发展路线图来看，将 LNA 集成到 PAMiD 中以及采用自屏蔽技术将是手机射频前端模块未来发展的两个重要方向。
就目前市场情况来看，PAMiD 是高度整合的定制模组，虽然它能够带来足够高的性能体验，但由于其成本高，因此，也仅有 Apple、三星和华为等少数厂商选用。同样，Micro Shield 自屏蔽技术也是由于成本原因，而往往仅被高端手机所采用。但是伴随着 5G 时代的到来，采用 Micro Shield 自屏蔽技术的 L-PAMiD 显然能够为厂商带来更大的价值，这也就意味着这种射频前端模块在中低端手机领域还有很大的发展空间。
Qorvo 指出，伴随着 Micro Shield 自屏蔽技术在工艺上的改进，这种技术的成本有望进一步降低。同时，L-PAMiD 的成本也会随着技术的成熟而降低。按照这种发展趋势，采用 Micro Shield 自屏蔽技术的 L-PAMiD 将会逐渐被中低端手机所接受。Qorvo 预计，在今年下半年，市场中就会有中低端手机采用这种射频前端模块。