目前，基站PA主要采用LDMOS PA，但是LDMOS技术适用于低频段，在高频段领域存在局限性。行业人指出，5G基站GaN PA将成为主流技术，GaN PA能较好的适用于大规模MIMO技术。根据Yole预测，2023年基站PA的市场规模将达到6-7亿美金。
国产射频芯片与国外差距有多大
国产射频前端芯片取得了很大的进展，但也要看到差距，这种差距将长期存在。
有人问，国产射频前端芯片什么时候可以追上国外；我说10年，也有人说20年。什么时候国内射频芯片公司可以自己定义主流产品了，那时就可以说已追上或者超越国外公司。
在有些射频前端芯片方面，我们已经追上国外。在主流射频前端芯片方面，国产射频芯片公司差距明显，革命尚未成功，同志仍需努力。
国产手机PA的差距：
2G PA：各方面性能都不输国外产品，成本更低。国外公司2G PA基本上不再供货了。
3G PA：整体性能不输国外产品，成本更低。国内厂家有昂瑞锐，展锐、飞骧；国外主要是Qorvo CMOS 3G PA。
4G PA：分两档，中功率4G PA和高功率4G PA，国产中功率4G PA与国外产品基本上不相上下了，成本和价格上都有优势，能替换的都已经替换了。国产高功率4G PA，整体性能上还是有点差距的，但也能满足手机客户的需求，最后取决手机客户是否对性能有极致追求。