Christophe Didier表示，根据发展路线图，Soitec正在开发200mm晶圆的POI衬底，并计划使用铌酸锂代替钽酸锂，从而在更好地把握滤波器带宽的基础上降低总成本。“滤波器在5G智能手机上是非常关键的组件，鉴于5G MIMO、载波聚合等技术的使用，我们预期智能手机在5G时代的射频滤波器面积将会增加50%”他说。
为了展示基于POI衬底的SAW性能与优势，Christophe Didier向媒体提供了几组测试数据加以说明。第一个是品质因数，1.6GHz频率下测量中频段谐振器参数时，Bode Q最大值大于4000；第二个是涉及实现更高带宽滤波功能的耦合系数，在频率大于1.6GHz时，耦合系数k2大于8%；第三个是跟温度相关并会导致频率变化的系数TCF，测试结果表明TCF小于10 ppm.K-1。
而高通方面的测试数据也显示，Qualcomm ultraSAW滤波器能够在600MHz至2.7GHz频率范围内提供诸多高性能支持，例如出色的发射、接收和交叉隔离能力、高频率选择性、品质因数高达5000、极低插入损耗（提升整整1dB）、出色的温度稳定性（维持在个位数的ppm/开尔文范围内的极低温度漂移）