由于PA芯片制造成本昂贵，且在高端射频器件上需要用到GaAs、GaN、SiC等半导体工艺，目前这类工艺国内成熟的供应商较少。Skyworks、Qorvo、Broadcom、Murata等大厂主要采用IDM模式，自己生产。而PA芯片的主要代工厂也集中在中国台湾公司，多数委由砷化镓代工龙头稳懋代工。而国内的PA晶圆代工厂商主要是三安光电。
值得一提的是，三安早在2014年就已经通过投资三安集成发展PA芯片主要砷化镓材料，成为大陆第一家研发与生产化合物半导体的芯片厂。2017年底，三安光电更斥资人民币333亿元（约新台币1，461亿元），在福建泉州南安高新技术产业园区投资三五族化合物半导体材料。去年三安增资动作频频，累积已经落实获得的现金约150亿元，这也使得三安光电有足够的资金为化合物半导体、5G射频前端芯片代工投入做好充足的准备。
随着智能手机产业的发展，对于射频前端集成度的要求也是越来越高。特别是在5G的射频前端器件领域，由于需要支持更高的功率，以及需要支持的频段数量的不断上升（因为不仅要兼容4G的频段，还要支持5G频段，以应对4G、5G多模信号切换的需求），对于PA、射频开关、滤波器等组件的技术复杂度要求和数量要求也是越来越高。因此，国内一直缺少能够提供5G射频前端解决方案的国产厂商。