其他应用领域还包括汽车的安全雷达系统，包括用于探测盲区的24GHz 雷达以及用于提供碰撞警告或先进巡航控制的77GHz 雷达;IBM 在此领域具备领导地位，2005 年推出的第四代SIGE 线宽有0.13 微米。
Utra COMS
SOI 的一个特殊子集是蓝宝石上硅工艺，在该行业中通常称为Ultra CMOS。蓝宝石本质上是一种理想的绝缘体，衬底下的寄生电容的插入损耗高、隔离度低。Ultra CMOS 能制作很大的RF FET，对厚度为150~225μm 的正常衬底，几乎不存在寄生电容。晶体管采用介质隔离来提高抗闩锁能力和隔离度。为了达到完全的耗尽工作，硅层极薄至1000A。硅层如此之薄，以致消除了器件的体端，使它成为真正的三端器件。目前，Ultra CMOS 是在标准6 寸工艺设备上生产的，8 寸生产线亦已试制成功。示范成品率可与其它CMOS 工艺相媲美。
尽管单个开关器件的BVDSS 相对低些，但将多个FET 串联堆叠仍能承爱高电压。为了确保电压在器件堆上的合理分压，FET 至衬底间的寄生电容与FET 的源与漏间寄生电容相比应忽略不计。当器件外围达到毫米级使总电阻较低时，要保证电压的合理分压，真正的绝缘衬底是必不可少的。
Peregrine 公司拥有此领域的主要专利，采用Ultra CMOS 工艺将高Q 值电感和电容器集成在一起也很容易。线卷Q 值在微波频率下能达到50。超快速数字电路也能直接集成到同一个RF 芯片上。该公司推出PE4272 和PE4273 宽带开关例证了UltraCMOS 的用处（见图）。这两个75Ω 器件设计用于数字电视、PC TV、卫星直播电视机顶盒和其它一些精心挑选的基础设施开关。采用单极双掷格式，它们是PIN 二极管开关的很好的替代品，它们可在改善整体性能的同时大大减少了元器件的数量。
两个器件1GHz 时的插入耗损仅为0.5dB、P1dB 压缩率为32dBm、绝缘度在1GHz 时高达44dB。两种器件在3V 时静态电流仅为8μA、ESD 高达2kV。PE4273 采用6 脚SC-70 封装，绝缘值为35dB。PE4272 采用8 脚MSOP 封装，绝缘值为44dB。10K 订购量时，PE4272 和PE4273 的价格分别为0.45 和0.30 美元。