图3呈现的是RG 405同轴电缆的反射图，其中的同轴电缆分别按照组装规范（1）和没有按照组装规范（2）装配了SMA连接器。两种RG 405电缆的线路阻抗Z0≈51.5Ω，连接器区域的过渡非常明显。在错误安装连接器的情况下，电容下降（朝低阻抗变形）是可见的。当外部和内部导体安装靠得太近时这种效应会频繁发生（也就是构建了一个电容）。
图3：正确安装SMA连接器（1，绿）和错误安装SMA连接器（2，红）时RG 405同轴电缆的反射图。
图4显示了4层印刷测试电路上的差分传输线的阻抗曲线。传输路径一开始是第一层（顶层）中的微带线，然后通过一个过孔转到第二层，此时仍然是微带线，再通过第二个过孔回到第一层表面。这个路线经过几次反复，最终在第一层终止。显然这个测试电路不能达到100Ω的目标阻抗：微带线和带状线的特征阻抗分别是Z0≈120Ω和Z0≈110Ω。从这张图中可以明显看出，过孔的电容因素会严重影响实际系统中的信号完整性，尤其是在高数据速率时更甚。
图4：在FR4基板的两个不同层上布线的差分线反射图。
作为最后一个例子，图5显示了USB 3.0连接器和电缆的反射图。USB 3.0组件的额定阻抗是Z0=90Ω±7Ω。TDR设备仍然工作在100Ω的参考阻抗上（时间范围t《12.2ns）。从测试适配器到USB 3.0连接器的转换引起的第一次反射发生在大约12.3ns，正如预期的那样与所有测量一致。曲线3（绿色）代表开放式适配器的结果，其中的快速阻抗上升指示适配器的（高阻抗）末端。曲线4和5（红色和蓝色）代表两种不同的USB 3.0电缆组件，每个组件由一个适配器和一个后续电缆组成。虽然电缆都在规范之内，但适配器不符合规范。特别是红色曲线表明最大阻抗约为122Ω，产生了严重反射，进而可能导致USB 3.0控制器降低数据速率。