最后，考虑串联电阻和有损耗界面层二者的影响，评估LaxZr1-xO2介质的κ值频率相关性。图5（a）示出LaxZr1-xO2/SiO2堆叠中典型的频率离散影响，由于大的Al接触衬底和厚的高κ层，这里的影响现在只与其κ值频率相关性有联系。LaxZr1-xO2、ZrO2、LaAlO3和热SiO2介质的频率相关性也示于图5（b）以便比较。LaxZr1-xO2介质的k 值明显与频率（f）有指数律关系，称为Curie-von Schweidler定律 ，（0≤n≤1），式中指数（n）的值表明介质弛豫程度。当La的x组分为0.22和0.63时，n 值分别为0.981和0.985。产生这一结果可能有二个原因：金属氧化物中自由La+或Zr+离子的离子运动导致介质弛豫；自由金属离子与电子阱复合产生偶极矩而引起介质弛豫。揭示LaxZr1-xO2介质弛豫确切的机理需要做进一步的研究。
结论
频率离散产生的两个原因是损耗界面层和串联电阻和衬底背接触不完美，只有在抑制有损耗界面层和串联电阻及不完美背接触的影响后，才能评估k值的频率相关性。基于两个等效电路模型对这些影响进行分析和建模。研究每一个影响后，在LaAlO3和ZrO2介质中没有观察到k值的频率相关性。但LaxZr1-xO2介质的k值有明显的指数律相关性，可用Curie-von Schweidler定律建模。
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