用这种测试算法检测存储芯片，可使每个存储单元都被访问。既能保证每个存储单元都能存储“1”和“0”数据，又能保证每个存储单元都受到周围其他单元的读“1”、读“0”和写“1”、写“0”的打扰。齐步法总的测试步数为：
式（3）中，W表示写操作，R表示读操作，Q表示“1”， 表示“0”。Bij表示存储器第i行j列的存储单元。如WBij（Q）就表示对第i行j列的存储单元进行写“1”操作所用的时间。
由式（3）可知，其测试步数共9N，且整个过程只需两次擦除操作，可见它是一种即快速又有效的方法。
4.3 移动变反法
移动变反测试法是按顺序变反每个地址存储单元数据的方法。它需要在变反前后读出每个存储单元的数据，而且，还必须借助于前进和后退的地址寻址序列产生地址跳跃，地址以20、21…、2n-1次方的增量变化（n是地址位数）。按照以上规律进行地址跳变后，再对每个地址进行三次操作：读、写和读即可完成一个循环。
以上操作的目的主要在于地址间产生有效相互打扰，但显然如果以整个芯片为单元进行上述操作需要多次擦除数据，因此对FLASH测试芯片应做如此改进：以扇区为单元完成操作。假设FLASH芯片有N个扇区，移动变反法的功能测试先要以“1”为背景图案写入全部存储单元。首先，在第一个扇区，对A0存储单元读出并验证是“1”，再将该存储单元改写成“0”，最后读出该存储单元的信息以证明新写入的“0”仍存于该存储单元中。第一扇区测试地址按有效位的阶20递增，对每个存储单元都要重复上述的读“1”，写“0”读“0”的操作过程，需要测试步长为3n（n为该扇区的存储单元数）才能使全部的存储单元都变成“0”。这次测试的地址序列是递增1的，即由地址最低位A0增加到最高位A（n－1），对A（n－1）存储单元进行读“1”，写“0”和读“0”验证。