凭借泰克全新5系示波器及 IsoVu 探头，可以准确捕获高侧门电路电压波形，以便评估和优化开关性能和可靠性，而不降低 dV/dt。
松下半导体解决方案案例
松下正在开发超快速、超高频率GaN器件，包括600V等级的器件，这些器件将大大优于SiC和基于硅的器件。潜在的GaN应用包括服务器电源、太阳能逆电器、电动汽车和AC电源适配器；除转换效率高以外，GaN器件还可以缩小电源的外部尺寸，同时在更高频率上工作。
尽管有诸多优势，松下项目团队在开发阶段面临一个极大的问题。其现有的测试设备特别适合硅功率器件，而GaN技术既在高电压下工作，又在很高的频率下运行，因此要求测量系统拥有更高的性能，同时提供更加优异的共模抑制比。使用示波器在氮化镓/GaN功率器件上执行差分测量时，松下半导体面临诸多挑战，特别是其试图评估半桥电路设计的高侧时，普通示波器探头中的寄生电容会使开关波形失真。
松下项目团队一直在努力探索GaN器件的高速开关性能，消除寄生电容的影响。前期使用传统差分探头进行测量没有得到预期结果，波形还会随着探头接入位置不同而明显变化，因此无法进行可重复测量。考虑到这些测试挑战，他们一直使用既耗时又复杂的手动方式，主要是估算高侧电路故障。很显然他们需要一种方式把共模电压与关注的差分信号隔离开，这就需要一种新型探头技术，在高侧电路上直接进行测试。
由于采用创新的光隔离技术，IsoVu探头在被测器件和示波器之间实现了全面电流隔离。IsoVu在100MHz以下时提供了1000000:1的共模抑制比，在1GHz以下时提供10000:1的共模抑制比，且在频率提高时其额定值不会下降。它提供了1GHz带宽和2000V额定共模电压，这种性能组合使得半桥测量成为可能。利用泰克示波器和IsoVu探头现在能够直接观测高侧栅极电压波形，获得了成功开发所需的测量洞察能力。