单个存储单元失效
固定0/1失效（SAF），单元存储值固定为0/1。固定开路失效（SOF），单元不能被读写，由于输出线与，读出数据为固定值。转换失效（TF），单元存储值不能由0 变为1，或由1变为0。
存储单元间的失效
对一个单元的读写操作改变了另一单元存储值，称为耦合失效（CF），两个单元分别被称为耦合单元和被耦合单元。相邻单元，同一行和同一列单元更易于发生耦合失效。由于读写是基于字的操作，耦合失效又可以分为字间耦合失效和字内耦合失效。
地址译码失效
地址译码失效（AF）包括了四种情况：1. 对某一地址，没有单元被存取；2. 对某一单元，没有地址可以对其存取；3. 对某一地址，多个单元被同时存取；4. 对某一单元，同时被多个地址存取。由这四种失效子模式组合引起的失效可以等效成固定0/1
失效和单元耦合失效。
同时读写失效
由于同时读写操作的相互影响，导致写入或读出错误的值而引起的失效。
复合失效
多个耦合失效，或耦合失效和地址译码失效复合在一起。复合失效可以相互掩盖而可能通过检测，必须合理地选择测试算法，以小的测试复杂度，达到大的失效覆盖率。
单向双端口SRAM的检测算法
目前对存储器的检测算法主要基于功能级的失效模型，测试算法必须满足失效发生的条件，通过写入或读出测试向量激活失效，并通过读操作检测出来。当读出值与预期值不同时，可以判定存储器失效。
队列测试方法具有测试时间短、结构简单、易于用自检测电路实现而被普遍采用。它包含了一组测试元素，时间复杂度为O （n），n表示存储单元的容量。以MATS+法为例，表示方法为{ （Write0）m1；（ read0，Write1）m2；（ read1，Write0）m3}，包括了3组测试元素M1、M2、M3，其中T （ read1，Write0）表示以地址递减的顺序对每一个单元进行读1和写0操作，总的时间复杂度为5n。