（1）CPU工作频率可达33MHz，每条指令只需4个时钟周期，运算速度较快。
（2）采用非常灵活的FLASH与SRAM存储器配置，可以对片上FLASH进行分区，根据需要设定程序FLASH与数据SRAM所占的比例。读写次数可达一百万次，数据可保存100年。
（3）片上RAM为1280B，有34个高电流驱动I/O，可以设定外部存储器的存取时间，使用双数据指针提高存取速度，具有完善的节电功能，还有电压监视器、21个中断源、3个16位定时计数器以及内部时间间隔计数器（TIC）。
（4）自带BOOT ROM，可以调试使用或在程序中调用内置固化程序，完成在线调试、数据采集、UART通讯以及读写FALSH等工作，方便了编程以及调试。
（5）片上24位Σ-ΔADC具有一些增强特性：8路输入通道可以任意配置为单端或差分输入;有快速、Sinc2、Sinc3 三种数字滤波，同时有自动数字滤波功能，可以加快A/D转换输出;带PGA偏置DAC，可以不引入额外误差而扩大测量范围;自带一个32位累加器，可以对ADC输出数据作快速平均处理。
（6）自带高精度电压标准，精度为0.2%，漂移为
5ppm/°C，可以节省空间以及器件成本，也可输出该电压标准或外接电压标准。
（7）片上16位PWM，可以作为DAC输出来源。
（8）增强的SPI接口可以使用DMA方式传输数据，在DMA方式下，可以间接寻址RAM，设定多达128B的发送接收FIFO;具有完整的端口驱动以及发送接收中断设定，适合大批量的数据传输，同时占用CPU资源较少。
MSC1210功能较强且易于使用，但因为是新器件，参考资料较少。笔者在使用过程中发现需要注意如下问题：
（1）MSC1210片内FLASH分区只能通过对HCR0以及HCR1这两个硬件配置寄存器事先编程来进行，在程序运行过程中无法设定或更改分区比例。在程序运行中读写FLASH时，要注意读写地址与调试时的地址不同，具体应参考存储器分配表;用户程序无法直接读写FLASH，需要调用BOOT ROM中的读写函数来进行;与AVR等芯片的EEPROM不同，写入FLASH之前必须先进行擦除操作，BOOT ROM中有可调用的块擦除子程序，可以在汇编或C程序中调用。