长江存储128层NAND即将投入
生产，仅落后美光两个季度
2019年，长鑫存储的DRAM落后领先的DRAM制造商至少两代，到2021年，长鑫存储将落后美光、三星和SK Hynix三代。
2018年，长江存储的32层NAND落后世界领先的NAND制造商三代，但随着长江存储路线图的加速，在2020年宣布推出了128层NAND，计划于2020年第四季度投入生产，这意味着长江存储的新NAND将仅仅落后美光和SK Hynix两个季度，与Kioxia/Western Digital（WDC）112层NAND不相上下。值得一提的是，长江存储的第二个NAND晶圆厂的建设计划将提前。长江存储的NAND器件使用的是DUV浸没式光刻技术制造，即便是没有ASML的EUV，也能够生产3D NAND芯片。因此，我们在追赶美光的过程中，并没有太多设备上的障碍，这场存储芯片追击战，有信心取得胜利。
小结
我国本土的存储芯片制造企业虽然数量少、规模小、产品技术也较领先企业落后一些，但长江存储、长鑫存储的发展势头迅猛，陆续修建新的晶圆厂，开发出新的产品，这让我们有理由相信，中国的DRAM和NAND存储芯片终有一日能够突出重围，同美光科技等存储芯片公司展开竞争。
责任编辑:pj
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