如果模式寄存器放在Code区，则会避免这种情况。配置写模式寄存器的总线是CPU DBus（访问Code区），配置同时必然不会有读Flash（IBus/DBus访问Code区）的操作，因此下一刻即可以开始进行状态机从READ到WAIT_WR或WAIT_WR到PROG的跳转，WAIT_WR跳转到PROG后会开始Flash PROG时序转化。
3.3 Flash读操作
Flash读操作，控制器可以直接将AHB总线读操作进行Flash读时序转换。Flash控制器的READ状态和WAIT_WR状态都支持AHB总线读操作。
READ状态的读操作时序图如图11所示。
WAIT_WR状态的读操作时序图如图12所示。
3.4 Flash写操作
控制器在PROG状态可以完成Flash写操作的时序转化，采用hready拉总线方式。
进入PROG状态需要CPU执行两步总线写操作，第一步，总线配置写模式，第二步，总线写操作给出写地址，写数据的采样利用的就是AHB总线写操作的数据在扩展周期稳定的原理。
详细的Flash写操作的步骤是：
（1）配置写模式，READ状态跳转到WAIT_WR状态；
（2）在WAIT_WR状态，向目的地址发起AHB总线写，状态机跳转到PROG状态，同时锁定总线的写地址，然后利用hready拉低时数据保持的原理，锁定总线的写数据，然后进行PROG时序转化；
（3）在PROG状态，PROG信号拉高，PROG2产生写脉冲，完成word的写入。之后hready信号被释放拉高，状态机跳到TRCV_P，之后TRW，返回READ态。
注：如果在PROG状态有AHB总线读操作，hready会被拉低，读控制信号和读地址被锁存，持续到编程时间结束，直到返回READ态，正确返回读结果。
举例：以图13、图14为例说明Flash写操作时序。比如向0x00_8004地址（CPU地址0x0002_0010）写入0x1234_5678数据。write_sfr_valid信号（配置PROG模式脉冲）触发READ状态跳到WAIT_WR状态，然后write_valid信号（AHB总线写0x0002_0010地址，数据为0x1234_5678）触发WAIT_WR状态跳到PROG，开始时序转化。
READ-》WAIT_WR-》PROG写操作时序图如图13所示。
完整的写操作PROG时序示意图如图14所示。
