本控制器设计了工作频率寄存器T1US_REF，含义是1 μs需要多少个时钟周期，如果为60 MHz，则配置该寄存器为60，如果为100 MHz，则配置该寄存器为100。内部的微秒级的各时序参数会自动以该寄存器为基准同步变化，这样就减少了软件根据不同频率频繁修改多个时序参数寄存器的复杂度。擦写时序参数如表3所示。
4 结论
本文给出了基于ARM cortex m4 SoC架构下两片UMC55 nm Flash macro IP拼接工作的NOR Flash控制器的设计，介绍了NOR Flash的读、写、擦各种时序的设计流程。
本控制器的特点如下：
（1）利用AMBA AHB hready信号为低时数据相位扩展的原理，支持Flash在线编程，执行过程中支持Flash读操作。
（2）在IAP程序跳转USER APP程序时不需要中断向量表重定向，直接硬件地址映射实现。
（3）通过设定1 μs工作频率配置寄存器，硬件自动计算满足不同频率下的正常擦写时序参数，减少了软件逐个配置多个时序参数的复杂度。
含有该Flash控制器的MCU主控芯片已经通过仿真和FPGA验证，且在UMC55 nm工艺上流片成功，芯片样品经过测试，Flash控制器功能良好，方便使用。
参考文献
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