IC U1通过BP（旁路）引脚完全实现自供电，并对电容C4进行退耦，同时还提供高频率去耦。当内部MOSFET导通时，U1会利用存储在C4中的能量；当MOSFET关断时，内部的6 V稳压器会从漏极引脚拉出电流。这样便可省去外部偏置绕组。添加外部偏置绕组将进一步降低空载功耗。
经整流及滤波的输入电压加在T1初级绕组的一侧。U1中集成的MOSFET驱动变压器初级绕组的另一侧。D5、R3、R4和C3组成一个RCD-R箝位电路，用于限制漏感引起的漏极电压尖峰。IC U1自动补偿初级励磁电感中的容差差异。输出功率与设定初级电感直接成正比，输出功率变化可在FB引脚检测到。输出功率发生变化时将调整开关频率，对电感波动进行补偿。
二极管D7（为提高效率选用肖特基势垒二极管）用于整流变压器的次级输出，C7对其进行滤波。电阻R8和电容C6可消除高频率的传导和辐射EMI。没有负载连接时，假负载电阻R9充当C7的泻放电阻。
三、设计要点
1、U1上高压引脚与低压引脚之间的爬电距离非常大，可以避免产生电弧并进一步提高可靠性，这在高湿度或高污染条件下特别重要。
2、电容C7具有低效串联阻抗（ESR），可降低输出电压纹波和省去LC后级滤波器。
3、反馈电阻R5和R6应具有1%的容差值，有助于将额定输出电压和恒流调节阈值严格控制在中心位置。
4、使用外部偏置绕组可进一步降低空载功耗。在PCB板上，将旁路引脚电容靠近U1放置。
5、减小箝位和输出二极管的环路面积，以降低EMI。
6、使AC输入和开关节点保持一定距离，降低可能会旁路输入滤波的噪声耦合。
7、确保U1D引脚的峰值漏极电压低于650 V，否则的话，需要通过降低R3的值来实现。
责任编辑；zl
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