反激转换器不断地通过电感存储和输送能量。因此，电感在磁通密度与磁场强度曲线上只工作一个象限。于是，磁芯必须较大，才能传送其它更复杂电源结构所提供的功率，后者对磁芯的利用更高效。反激方案更适用于小于50W的功率水平，这覆盖了所有螺口直换的LED灯泡产品，以及很多射灯和泛光灯（图2）。反激设计也可以工作在较高功率水平；不过，这些设计更复杂，通常要使用多个电感，以及MOSFET交错电路。
图2，反激方案最适用于功耗低于50W的应用，覆盖了所有螺口直换型LED灯泡产品，以及很多射灯和泛光灯
随着性能标准逐步覆盖LED照明产品，对环境问题的考虑也成为了要求，如高功率因数。反激LED驱动器可以提供约0.9的功率因数，它采用无源电路技术，无需任何会明显增加成本和体积的预调节级。
为了提供高功率因数，可以从一个全波整流的DC总线运行反激电路，只使用少量电容做高频耦合，或者可以增加一个由两只电容和三只二极管组成的简单无源填谷电路（图3）。第一种方法比较廉价，但输出端需要一个较大的保持电容，防止LED电流跌至接近AC线路的零交越处。因此，这种方法只有在LED为350mA或更小时才可行。第二种方法是较常用的方法，它增加了一些成本，但克服了第一种方法的局限性。
图3，为提供高的功率因数，可以只用一只小电容做高频耦合，从一个全波整流的DC总线运行反激电路，或者可以增加一个由两只电容和三只二极管组成的简单的无源填谷电路
接下来一个要考虑的问题是如何调节LED电流。使用一个次级的电压与电流检测电路，用一个光耦将反馈信号传回初级端的控制IC，就可以实现这个调节。还有一种方法是，可以仅在MOSFET中调节初级端的峰值电流，而不直接检测LED的电压或电流。另一种选项是使用一种初级检测方法，它提供了一些电流调节和过压保护，但无需光耦。
采用次级电压与电流检测电路是最精确的方法，但它需要使用光耦和一个输出检测与稳压电路，所有这些都会影响空间与成本。调节MOSFET中的初级端峰值电流省掉了大量元件，但控制精度较低，只有在某种线路输入和LED输出电压下，才能提供正确的输出电流。尽管这种方案可能为某些低端应用接受，但它没有提供对开路状况的保护。如果负载开路，则一个反激转换的输出可能产生高电压，例如，当一串LED中的一只失效呈开路状态时，因为在电感可以释放其存储的电流以前，电压会持续升高。