表1.不同输入条件下的良率汇总表
结论
本文探讨了如何通过虚拟制造提高良率。文中实例采用了因边缘定位误差导致VC-M1良率损失的7nm 6T SRAM模型，采用的技术包括结构构建、模型校准、虚拟量测、失效分类、良率预测和工艺窗口优化。分析结果表明通过工艺窗口优化功能和收紧规格要求可以将良率从48.4％提高到99.0％。可以看出，虚拟制造可广泛应用于各种良率提升研究，而这些研究的结果将推动半导体工艺和技术的发展。
关于工艺,制造就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。
表1.不同输入条件下的良率汇总表
本文探讨了如何通过虚拟制造提高良率。文中实例采用了因边缘定位误差导致VC-M1良率损失的7nm 6T SRAM模型，采用的技术包括结构构建、模型校准、虚拟量测、失效分类、良率预测和工艺窗口优化。分析结果表明通过工艺窗口优化功能和收紧规格要求可以将良率从48.4％提高到99.0％。可以看出，虚拟制造可广泛应用于各种良率提升研究，而这些研究的结果将推动半导体工艺和技术的发展。
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