在N型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子;在P型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
PN结的形成
采用某种工艺，可以将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上。
由于浓度差，会产生扩散运动。同时，在P区N区交界处，多数载流子浓度降低，P区出现正离子区，N区出现负离子区，内部会产生一个内电场。该电场会产生一个运动去阻止扩散运动，这个运动称为漂移运动。参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡就形成了PN结。
PN结的单向导电性
PN结的电容效应
PN结存在着等效电容（势垒电容和扩散电容，两者之和称为结电容，具体省略），由于容抗跟频率成反比，当加在PN结上的交流电频率较高时，交流电就可以通过PN结的电容形成通路，PN结会失去单向导电的特性。
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