C =条状电容（单位：pF）；
L =条状电感（单位：nH）；
Zo =特征阻抗（单位：Ω）；
ε=介电常数；
w =SMT焊盘宽度；
l =SMT焊盘长度；
d =SMT焊盘和下方参考平面之间的距离；
t =SMT焊盘的厚度。
相同概念也可以应用于板到板（B2B）和电缆到板（C2B）连接器的SMT焊盘。
下面将通过TDR和插损分析完成上述概念的验证。分析是通过在EMPro软件中建立SMT焊盘3D模型，然后导入Keysight ADS中进行TDR和插损仿真完成的。
分析交流耦合电容的SMT焊盘效应
在EMPro中建立一个具有中等损耗基板的SMT的3D模型，其中一对微带差分走线长2英寸、宽5mil，采用单端模式，与其参考平面距离3.5mil，这对走线从30mil宽SMT焊盘的一端进入，并从另一端引出。
图4 交流耦合电容的SMT焊盘效应：仿真得到的TRD图
图5 交流耦合电容的SMT焊盘效应：仿真得到的插损图
图4和图5分别显示了仿真得到的TDR和插损图。参考平面没有裁剪的SMT设计造成的阻抗失配是12Ω，插损在20GHz时为-6.5dB.一旦对SMT焊盘下方的参考平面区域进行了裁剪（其中“d”设为10mil），失配阻抗就可以减小到2Ω，20GHz时的插损减小到-3dB.进一步增加“d”会导致条状电感超过电容，从而引起电感不连续性，转而使插损变差（即-4.5dB）。
分析B2B连接器的SMT焊盘效应
在EMPro中建立一个B2B连接器的SMT焊盘的3D模型，其中连接器引脚间距是20mil，引脚宽度是6mil，焊盘连接到一对长5英寸、宽5mil，采用单端模式的微带差分走线，走线距其参考平面3.5mil.SMT焊盘的厚度是40mil，包括连接器引脚和焊锡在内的这个厚度几乎是微带PCB走线厚度的40倍。
图6 B2B连接器的SMT焊盘效应：仿真得到的TDR图
图7 B2B连接器的SMT焊盘效应：仿真得到的插损图
铜厚度的增加将导致电容的不连续性和更高的信号衰减。这种现象可以分别由图6和图7所示的TDR和插损仿真图中看出来。通过裁剪掉SMT焊盘正下方适当间距“d”（即7mil）的铜区域，可以最大限度地减小阻抗失配。