高压、高速、低电流MOSFET运算放大器IC：本设计选用的单片集成电路PA78利用A/B类驱动器级来驱动输出MOSFET，利用新型输入级来获得非常高的压摆率（slew rate），同时还消除了传统运算放大器设计的高静态电流。该设计需要采用两个PA78。这种放大器单价大约为15美元，与混合型器件的100多美元相比，其费用得以大大降低。
图1的桥式电路配置了两个PA78。在这种配置中，放大器提供的输出电压摆幅是单个运算放大器的两倍，压摆率也增加了一倍。任何非线性都变成对称的，和单个放大器的电路相比，这能减少二次谐波失真。
由正弦信号源在80kHz下提供15V峰峰值信号来驱动放大器对，放大器对再驱动压电致动器。本例假设压电致动器的阻抗等于1Ω电阻和1nF电容的等效串联阻抗。
在这个应用中，负载是浮空的，即负载完全没有接地。当左边的输出VOUTA从10V上升到160V（图2a），右边输出VOUTB从160V降至10V（图2b）时，负载上的电压摆幅为300V（-150V到+150V）（图2c）。
两个放大器的输出现在是反相的。桥式配置电路中两个PA78的总增益为+20，因此需要向压电致动器提供所需的300V峰峰值电压。由电阻R3和R4组成的反馈电路使两个PA78模块的输出都以大约85V为中心。在图1，一个双源、非对称电源为两个放大器模块提供+175V和-5V电压。
图2：当图1中左边输出VOUTA从10V上升到160V（图2a），右边输出VOUTB从160V降至10V（图2b）时，负载上的电压摆幅为300V（-150V到+150V）（图2c）。
确定+VS和-VS的净空余量
必须谨慎选择+VS和？CVS的值，以确保在VOUTA和VOUTB发生正/负偏移（positive and negative excursions）期间有足够的净空（headroom）。输出（VOUTA-VOUTB）的值在+150V到-150V之间摆动。但在这种非对称源结构中，放大器的共模输入范围（CMR）的正负值在控制+VS和？CVS值上起着重大作用。
在PA78的例子中，CMR的负值规定为？CVS+3V，这意味着输入电压与负电源轨之间的差值不应小于3V。因此，通过选择？CVS等于-5V，可让VOUTA和 VOUTB（有10V的负偏移）与电源负轨之间的差值大于15V。CMR的正值为+VS？C2V，这意味着VOUTA和VOUTB的最大正偏移必须保持低于+VS至少2V。
关于+VS电源轨的第二个问题是，模块输出峰值电流时输出端的电压降问题。在这个应用中，峰值电流大约为75mA。从PA78规格手册中一个称为“输出电压摆幅”的图可知，如果输出这个峰值电流，电压将下降8V。2V和8V加起来就是10V，即+VS必须超过150V的最大电压摆幅至少10V。选择175V的+VS就意味着具有15V的额外净空余量。