2 常规电路
通过上述分析，我们知道带隙基准由两个部分组成，一部分是晶体管的偏置，另一部分是与绝对温度成比例的电压（Proportional to the Absolute Temperature，PTAT）。正负温度系数电压刚好相互抵消。衡量带隙基准电压性能一般采用两个参数，温度系数（Temperature Coefficient，TC）和电源电压抑制比（Power Supply Rejection Ratio，PSRR）。
图1所示为常规带隙基准电压电路。
设运放Vin-和Vin+相应的节点为A和B，根据理想运放输入两端虚断的特点：
式（4）就是由常规电路得到的带隙基准电压VREF。在2.5 V工作电压，进行-25～125℃温度扫描，从扫描结果（图4中Voutl）可以看到，该电路得到的VREF大概在1.2 V左右，温度系数TC=5.65 ppm/℃。对电源电压进行2～3 V扫描，VREF从1.18 V变化到1.179 V，电源电压抑制比PSRR=55.4 dBo该电路的温度系数还不够理想，而且VREF不可调节，因此在常规电路的基础上进行改进。
3 改进电路
由于常规电路的温度系数还不够理想，而且VREF不可调节，因此改进常规电路。图2是文献提到的改进电路。
分析该电路，同样设运放Vin-和Vin+相应的节点为A和B，根据理想运放输入两端虚断的特点：
式（5）就是改进电路得到的带隙基准电压VREF。设R。=10 kΩ，通过VREF/ T=0，n=25，T=300 K时 VBE／T△-1.5 mV/℃和 VT/ T△+0.087 mV/℃，可以计算出R1和R2的近似值。在2.5 V工作电压，进行-25～125℃温度扫描，从扫描结果（图4中Vout2），可以计算出改进电路的温度系数TC=5．37 ppm/℃。对电源电压进行2～3 V扫描，VREF从62l.2 mV变化到620.5 mV，电源电压抑制比PSRR=52.9 dB。VREF可以通过改变R2的阻值进行调节，可调节范围约为O～2．25 V，实际应用中，考虑电阻在工艺上的误差，R3不宜取太小的阻值，因此VREF很难取到较小但又要求比较准确的电压，同时为了保证输出支路的PMOS管工作饱和区，所以合适的调节范围约为O．5～2 V。从计算结果发现改进电路的温度系数5.37 ppm/℃与常规电路的温度系数5.65 ppm/℃相比没有得到较大改善，因此电路还需改进。
4 曲率补偿的带隙基准电压电路