3.1 电感结构
此电路中电感采用内嵌式螺旋电感。采用内嵌式电感可以节约面积，提高电路集成度，但是却牺牲了Q值，并且在CMOS工艺中电感的制备比较难以控制，所以在实际layout时将螺旋电感的中心拿掉，因为越接近核心，电荷密度越大，但核心部分对电感值的贡献不大，中心去掉不会对整个电感有太大影响，还可以提高Q值。
3.1.1 电容结构
此电路中采用MIM（metal-insulator-metal）电容，是平板电容的一种变形，如图3所示。这种电容的好处是容值较为固定，并且结构简单。相比一般平板电容，在上下级板中间多了一层CTM（Capacitor TopMetal）层，可以通过缩短两极板之间的距离来提高容值或缩小电容所占面积。
3.1.2 电阻结构
在当前的CMOS工艺中，根据不同的材料和制备工艺，常用的电阻有Well电阻、Poly电阻、Diffusion电阻和Metal电阻。各种电阻的导电层特性如下：
在设计的时候要注意，制作时电阻值越小误差越大，所以材料选择、使用面积和阻值误差等要综合考虑。
4 仿真设计
（1）确定设计目标。本文中电路工作在蓝牙系统中，工作频率为2.38 GHz，设计一个超低噪声以及超高增益的LNA电路。
（2）设计电路结构。本电路基本结构为cascode单级放大电路，再加上一些周边的匹配电路和电压偏置电路来构成LNA电路。
（3）本文使用安捷伦的ADS系统来做高频仿真，使用0.25μm的RF模型。主要仿真S参数、噪声系数、线性度、功率增益等LNA电路的重要参数。
（4）根据0.25μm制造工艺的layout规则来设计电路中的各个元件，并且尽量做到电路对称。
5 仿真结果
本文电路使用0.25μm制造工艺，电源电压2.5 V，工作频率2.38 GHz的全集成化单端LNA电路。
5.1 S参数仿真
图4是此电路在ADS中的仿真结果，图4（a）中S11是电路输入反射系数，为-12.203 dB；图4（b）中S12为电路的隔绝度（isolation），避免LNA下一级的反射信号影响到LNA输入端的信号，本电路中为-24.67 dB；图4（c）中S21表示电路的功率增益，其值为20.47 dB；图4（d）中S22为输出反射系数，大约为-22.33 dB。
5.2 线性度仿真
一般来说，一个系统的线性度越高越好，但是电路中含有晶体管等非线性有源器件，所以在LNA电路工作在较高功率时，输出会产生非线性失真。在仿真时，为了表示线性度，定义出一个1 dB点，表示输出相比输入压缩了1 dB。由图5中可以看出，1 dB点出现的越靠后，说明线性度越好。本电路仿真出的1 dB点在-25 dBm的位置。