直到n-区MOSFET与IGBT有相同的结构，它们的区别在第三极。从而决定了各自下同的性能，IGBT元器件是在底面用p+导通型半导体做收集极。这就形成额外的n-型半导体和p+半导体之间新场阻层，它对IGBT有很大影响。
流经n-漂移区的电子在进入p+区时，会导致正电荷的载流子（空穴）由p+区注入n-区。这些被注入的空穴不但从漂移区流向发射极的p区，也经由沟道及n-区横向流入发射极。因此，在n-型漂移区内充满了空穴（少数載流子），这种增加的载流子构成了主电流（收集极电流）的大部分。主电流又会使空间电荷区减少，从而使集电极和发射极的电压差下降。与MOSFET不同，IGBT是一个双极元器件。
因为在高阻抗的n-区充满了少数载流子，这就会导致IGBT的通态压降比MOBFET要低。这样IGBT在同样的面积就能比MOSFET承受更高的电压和电流。但在关断时这些少数载流子必须被从n-漂移区释放掉或者被再结合，这就产生功耗。
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