⑤16位数据输出完毕后，通过P3.1脚产生一个SCK脉冲，将移位寄存器74LS164中的数据输出移入到单元板的74HC595串行移位寄存器中。
⑥重复第 eq oac（○，4）4至 eq oac（○，5）5步，直到一行数据全部输出完毕后，由P3.2 产生一个RCK脉冲，读取的一行数据将输出显示，然后扫描线下移一行。
⑦重复第 eq oac（○，1）1至 eq oac（○，6）6步。
此电路有这样几个特点：显示数据从串行FLASH输出后，不经单片机的处理，直接以“DMA”方式输出到移位寄存器74LS164，同时实现串并转换，节省数据处理时间，提高显示效率；在每场数据输出之前，通过信息在显示区域中的地址计算数据选择位数
，并通过P3.0 端口模拟 个脉冲输出到串行FLASH，移出 位数据，数据产生错位，使输出显示的数据在16位输出数据的高8位，可以直接存放在移位寄存器中，输出到显示屏，以后同行各列的显示数据输出时，无需再进行数据选择位的判断，直接将显示数据从存储器中输出到显示屏。
存储器效率分析：
表1 存储器效率存储器
存储器
效率η静态显示一般垂直移动显示双RAM技术输出显示
η计算
公式
效率100%16%100%
观察表1可知，在垂直移动显示使用双RAM技术组织，大大提高了存储器效率，降低了显示数据存储器的占用。当显示信息比较大时，动态数据组织使用的存储器比较大，利用率低，而采用双RAM技术正好解决这个问题。一块RAM的效率是100%，双RAM是50%，当有N块RAM时，效率为
。
3 程序设计
针对图3所示控制电路，按照数据输出控制流程，编写了一段程序，随机显示一屏信息，显示数据已按顺序存储在串行FLASH中。
void display（unsigned int YL）
{ unsigned int i，j，p;
unsigned char line， unit_board_num， board_i;
unsigned char code *ram_point， *block_addr，* region_addr，* ram_begin_addr;
block_addr=YL/（Bw*Sw） * （Sw*Dw）; //所在块的起始地址
region_addr=（YL%Sw）*Dw; /所在区的相对块的相对地址
i=YL/Sw;
region_recod=YL%Sw; //此变量记录显示数据已进入哪一区
ram_point=ram_begin_addr+block_addr+region_addr-1; // ram_begin_addr为数据起始地址