内存确定了行之后,要想找出数据,还得确定列。那么时序的第一个数字,也就是CL(CAS),表示内存确定了行数之后,还得等待多长时间才能访问具体列数的时间(时间周期)。

行列必然产生交点,也就是说确定了行数和列数之后,就能准确找到目标数据,所以CL是一个准确的值,任何改动都会影响目标数据的位置,所以它在时序当中是最关键的一个参数,对内存性能的发挥着举足轻重的作用。

内存时序的第三个参数tRP,就是如果我们已经确定了一行,还要再确定另外一行所需要等待的时间(时间周期)。

然后第四个参数tRAS,可以简单理解成是留个内存写入或者读取数据的一个时间,它一般接近于前三个参数的总和。

所以,在保障稳定性的前提下,内存时序越低越好。

那么,时序对内存性能影响有多大呢?

我们做了一个测试,在保持内存频率不变的情况下,内存性能随着时序的变小而不断变强。

不过相比之下,时序改变后,内存延迟的变化比内存读写速度的变化更加明显,这也说明了时序的影响侧重在延迟方面。

现在,关于时序,你搞懂了吗?

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