三星由于对HARC蚀刻技术过度自信，导致“栽了跟头”，但是，铠侠和WD及时地放弃了一次性加工的生产方式，所以成功了生产了96层的双层堆叠方式。这让人想起了2020年1月23日逝去的哈佛商业学院的Clayton M. Christensen教授提出的“创新的困境（Innovation Dilemma）”。
各厂家的最新3D NAND
下面我们看看下图5，即比较了各家厂商的最新3D NAND的图。此处最引人注目的是中国的紫光集团旗下的长江存储（YMTC，原XMC）的3D NAND。
图5：比较各家厂商的最新3D NAND。（图片出自：Tomohiko Kitajima， Applied Materials， “Materials and process technology driven 3D NAND Scaling beyond 200 pairs ”， IMW2020， Tutorials PART 1.）
2016年3月，YMTC突然宣布要进军3DNAND。YMTC 以较高的薪资待遇汇集了大批的日本、台湾、韩国等地的半导体技术人员，首先致力于32层的研发。仅仅用了一年的时间就成功研发了32层的产品，且跳过48层直接开始研发64层。同时，2019年9月17日，YMTC成功量产了64层。
就YMTC的64层产品而言，控制数据读取、写入的CMOS线路由一种不同于存储单元（Memory Cell）的晶圆制造而成，分别通过Bonding工艺进行贴合。
为了扩大单个芯片的存储密度，一般采用的是将CMOS线路放在存储单元下部的CUA结构（CMOS Under Array），实际上，Intel＆Micron和海力士正是采用的这种模式。但是，YMTC却自主研发了此项技术！
在2019年第四季度时间点，YMTC的64层稼动产能不足2万个，但是，在2020年4月12日，YMTC发布说，成功研发了128层的、1.33Terabit、QLC的3D NAND。未来，3D NAND的“风向标”可能要发生变化了。
3D NAND的技术蓝图（Roadmap）
一场出人意料的新冠肺炎促使了远程办公、在线授课、在线诊疗等网上业务的发展。IMW2020也是在线召开的。结果，导致了数据中心（Data Center）的需求暴增，用于服务器的NAND的需求也呈现了爆发式增长。
因此，人们对于3D NAND的高密度化的期待越来越高。其研发的R&D的蓝图如下图6所示。如今，各家厂家都在努力推进128层（铠侠和WD是112层）的量产工作。未来，层数应该还是更高，从蓝图上看，2021年-2022年研发200层，2022年-2023年研发250层以及以上。从技术蓝图来看，Charge Trap方式是具有代表意义的3D NAND结构（如图7）。
