反过来也可以使用20V高电压反向将浮栅层中的电子“抽离”出去，这就是闪存的擦除。闪存的独特工作原理决定了闪存单元在写入之前必须经过擦除，而不能像磁记录那样直接覆盖写入。
对于原始的SLC闪存而言，一个存储单元只需保留一比特数据，非0即1，判断起来非常简单。SLC闪存速度快、寿命长，但容量小、每GB容量成本过高，不适合家用电脑的固态硬盘。
MLC闪存可以在每个存储单元中存储2比特数据，即00、01、10、11四种状态，浮栅层中的电荷等级需要更加精细化。
到了TLC闪存（3比特/单元），状态数量达到8种，而QLC闪存（4比特/单元）的状态数量高达16种。
2007年铠侠的前身东芝存储率先提出了三维闪存层叠技术，现在的3D闪存已经使用Charge Trap电荷捕获层取代原有Floating Gate浮栅层，存储单元的结构也发生了较大的变化，使得闪存写入速度更快，可靠性更强，功耗水平更低。铠侠TC10、RC10、RD10使用的都是3D TLC闪存。
关于存储技术就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。